一、高效性

快速去除：微波等離子體設(shè)備利用等離子體中的高活性粒子與光刻膠發(fā)生快速的化學(xué)反應(yīng)，能在較短時間內(nèi)將光刻膠分解為氣態(tài)產(chǎn)物并去除。而傳統(tǒng)的濕法化學(xué)去除光刻膠方法，需要較長的浸泡和反應(yīng)時間，一般需要幾分鐘甚至幾十分鐘，相比之下，微波等離子體設(shè)備的去除速度更快，可提高生產(chǎn)效率。

批量處理：微波等離子體設(shè)備的反應(yīng)腔室可設(shè)計成適合批量處理的結(jié)構(gòu)，能夠同時對多個晶圓或大面積的半導(dǎo)體器件進行光刻膠去除處理，且能保證每個工件都能得到均勻、高效的處理，進一步提高了生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)的一些光刻膠去除方法，如手工擦拭或局部處理方式，難以實現(xiàn)大規(guī)模的批量高效處理。

二、環(huán)保性

減少化學(xué)試劑使用：傳統(tǒng)的濕法化學(xué)去除光刻膠方法需要使用大量的有機溶劑、強酸強堿等化學(xué)試劑，如丙酮、硫酸、氫氧化鈉等，這些化學(xué)試劑不僅成本高，而且會對環(huán)境造成嚴重污染。微波等離子體設(shè)備主要依靠等離子體的物理化學(xué)作用去除光刻膠，大大減少了化學(xué)試劑的使用量，降低了化學(xué)廢液的產(chǎn)生和處理成本。

低排放：微波等離子體去除光刻膠過程中產(chǎn)生的廢氣主要是二氧化碳、水等無害氣體或易于處理的氣態(tài)產(chǎn)物，經(jīng)過簡單的凈化處理即可達標(biāo)排放。而傳統(tǒng)化學(xué)方法產(chǎn)生的廢氣中可能含有有機溶劑揮發(fā)物、酸霧等有害物質(zhì)，對大氣環(huán)境和人體健康危害較大。

三、對基底損傷小

溫和處理：微波等離子體設(shè)備在去除光刻膠時，可以在相對較低的溫度和溫和的條件下進行，避免了高溫、強酸強堿等對半導(dǎo)體基底材料的損傷。特別是對于一些對溫度敏感或易受化學(xué)腐蝕的半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)，如化合物半導(dǎo)體、含有金屬電極或脆弱的多層結(jié)構(gòu)等，微波等離子體處理能夠在不損害基底性能的前提下有效去除光刻膠。

無機械損傷：與一些傳統(tǒng)的機械去除方法，如刮擦、研磨等相比，微波等離子體設(shè)備是通過化學(xué)反應(yīng)和物理作用的協(xié)同來去除光刻膠，不存在機械力對基底表面的刮擦和磨損，不會在基底表面產(chǎn)生劃痕、裂紋等機械損傷，有利于保護半導(dǎo)體器件的完整性和性能。